经过抗击疫情磨砺的中国正在迎来复工复产的热潮，经济社会发展日益呈现出勃勃生机。近日召开的中央政治局常务委员会上提出，要进一步加快推进5G网络、新能源汽车充电桩、大数据中心等七大“新型基础设施建设”（简称“新基建”），不仅能减缓疫情对经济的负面冲击，更能推动改革创新，培育发展新动能，对我国经济高质量发展具有巨大推动作用。

随着“新基建”风口的到来，半导体产业将迎来新的发展机遇。一方面，5G庞大的基站网络对于设备、电力等的配套需求，新能源汽车市场快速发展对于充电桩建设的需求等一系列产业链需求将会催生半导体产业的市场爆发。另一方面，“新基建”有望加速我国半导体产业国产替代进程。而在这其中，功率半导体器件可应用于新基建七大领域，它是我国汽车工业、高铁、电网输电等系统应用的上游核心零部件，战略地位突出。

据中国充电联盟数据显示，截至2020年1月底全国已建成公共充电桩53.1万台，远低于《电动汽车充电基础设施发展指南(2015-2020)》规划的1:1要求。据行业预测，未来10年将形成万亿规模的充电桩基础设施建设市场。随着国家层面战略部署“新基建”，充电桩作为新能源汽车基础设施将迎来发展“春天”。并且在电动化趋势下，汽车半导体用量翻倍以上的增长，根据Strategic Analysis 数据，电动汽车所新增的半导体需求有较大比例在功率器件领域。

JN江南·娱乐最新官网入口旗下无锡JN江南·体育微电子专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售，所开发和生产的高压超MOSFET、IGBT、IGTO等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品广泛应用于智能电网、混合动力/电动汽车、消费电子等领域。公司自2018年起就高度关注新能源汽车衍生市场，凭借前瞻的市场布局、出色的设计能力以及高效的执行力，近年来推出一系列对标国际一线厂商的MOSFET产品，其中以国内领先的高压超结MOSFET尤为突出，它基于电荷平衡理论并采用先进的深槽刻蚀技术，可显著降低器件的导通电阻和栅电荷，在充电桩、开关电源、充电器等市场应用中，可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多种拓扑形式的电路结构，显著减小系统的功率损耗并提高转换效率，能够高效解决行业目前面临的充电难问题，为“新基建”发展注入源源不断的新活力。

此外，作为新能源汽车电机驱动部分的核心元器件IGBT，也在JN江南·娱乐最新官网入口的产品研发布局中。IGBT兼有MOSFET高输入阻抗和双极器件低导通压降两方面的优点，是目前电力电子和绿色能源的主力功率器件。公司的IGBT产品以实际应用为设计基础，使用先进的NPT（非穿通型）和沟槽型FS（场终止型）IGBT 技术，能够为大功率应用客户提供优质可靠的系统解决方案，突破新能源汽车核心技术，大力推进新能源产业发展。

“新基建”作为助力传统产业向网络化、数字化、智能化方向发展的信息基础设施，将会加速产业转型升级，提高社会运行智能化水平，支撑我国数字经济的腾飞。未来，JN江南·娱乐最新官网入口将继续坚持科技创新、业务创新、服务创新和管理创新，用“芯”成就客户价值，承载“新基建”发展之需，为国家新一轮科技基础项目建设贡献科技力量。